การทดสอบฉนวนทางไฟฟ้า โดยการใช้ Guard terminal (สำหรับ HV Cables, Bushing, Transformer and CB)

Guard terminal ทำอะไรได้บ้าง?

ในระหว่างการทดสอบฉนวน  ความต้านทานทางด้านนอกของวัสดุฉนวนมักจะถูกละเลย

อย่างไรก็ตาม  เส้นทางวงจรความต้านทานนี้เป็นส่วนหนึ่งของการวัดและสามารถส่งผลต่อผลลัพธ์ได้อย่างมาก

ตัวอย่าง เช่น ถ้ามีสิ่งสกปรกอยู่บนพื้นผิวด้านนอกของ Bushing  กระแสรั่วไหลตามพื้นผิวอาจขึ้นไปถึง 10 เท่าของค่ากระแสที่ไหลผ่านฉนวนที่เกิดขึ้นจริง

กระแสรั่วไหลตามพื้นผิวจะเป็นวงจรตัวต้านทานที่ต่อแบบขนานกับความต้านทานฉนวนที่แท้จริงของวัสดุที่กำลังทดสอบ

โดยการใช้ Guard terminal เพื่อทำการทดสอบแบบ ‘three-terminal test’

การรั่วไหลของกระแสตามพื้นผิวอาจจะถูกละเลยได้ ค่าเหล่านี้อาจมีความสำคัญต่อการคาดการค่าความต้านทานสูงๆ

เช่น เมื่อตรวจสอบส่วนประกอบแรงดันสูงของ insulator bushing และ cable

กระแสไฟฟ้าทั้งหมดที่ไหลผ่านระหว่างการทดสอบความต้านทานฉนวนประกอบด้วยส่วนประกอบหลัก 3 ส่วน ดังนี้

Charging current คือ กระแสไฟฟ้าที่เกิดจากการชาร์จประจุของวัตถุฉนวนในช่วงแรกๆ

Absorption current คือ กระแสที่ถูกดึงเข้าไปในฉนวนโดยผ่านขั้วของโมเลกุล จะทำให้ค่าเริ่มแรกมีค่าสูง แต่จะลดลงเรื่อย ๆ เมื่อเวลาผ่านไป แต่มีอัตราที่ช้ากว่ากระแสไฟฟ้าที่เกิดจากการชาร์จ

Conduction or leakage current คือ กระแสการนำไฟฟ้าหรือกระแสไฟฟ้ารั่ว  เป็นกระแสไฟฟ้าที่มีขนาดเล็ก ที่อยู่ในช่วง steady state ซึ่งแบ่งออกเป็นสองส่วน คือ

  1. เส้นทางการนำไฟฟ้าทะลุผ่านฉนวนไฟฟ้า
  2. กระแสไหลผ่านพื้นผิวของฉนวนไฟฟ้า***

*** การรั่วซึมของกระแสไฟฟ้าตามพื้นผิวเป็นสิ่งที่จำเป็นต้องได้รับการยกเว้นหากต้องใช้การวัดค่าความต้านทานฉนวนของวัสดุ สามารถทำได้โดยการใช้ terminal guard ที่มีอยู่ในตัวเครื่องทดสอบ HV

โดยทำการใช้ลวดพันรอบศูนย์กลางของ bushing และเชื่อมต่อกับขั้ว terminal guard ซึ่งตอนนี้การรั่วไหลของของกระแสไฟฟ้าตามผิวจะไหลไปยัง guard terminal

กระแสไฟฟ้าที่ไหลเข้า guard terminal จะไม่ถูกวัดค่าจากเคร่ื่องทดสอบ จะถูกละเลยการวัดค่าความต้านทานฉนวนไฟฟ้า

ที่มา 

https://us.megger.com

https:// electrical-engineering-portal.com

 

Data sheet – MIT525

Application-guide-5-kV-and-10-kV-insulation-testing
Application-guide-Insulation-testing-above-1-kV
Application-guide-Interfacing-with-PowerDB
MIT_Leads_Table
MIT515-MIT525-MIT1025-MIT1525_DS_US_V10

 

 

 

 

ใส่ความเห็น

อีเมลของคุณจะไม่แสดงให้คนอื่นเห็น ช่องข้อมูลจำเป็นถูกทำเครื่องหมาย *

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.